Niniejsza rozprawa traktuje o zjawiskach powierzchniowych zachodzących na powierzchni germanu. German jest interesującym materiałem szczególnie w kontekście zastąpienia nim krzemu w istniejących technologiach półprzewodnikowych. Motywacją do podjęcia badań nad zjawiskami powierzchniowymi na Ge(001) jest konieczność uzupełnienia aktualnego stanu wiedzy na temat specyficznych właściwości fizykochemicznych tego podłoża oraz ich wpływu na zachodzące na nim procesy adsorpcyjne. Wiedza taka jest niezbędna w procesie adaptacji Ge(001) do konstrukcji nowych materiałów i elektronowych układów funkcyjnych.

W rozprawie dyskutowane są dwa zagadnienia. Pierwsze dotyczy uporządkowanych struktur adsorpcyjnych formowanych przez ad-atomy Ba osadzające się na Ge(001) w warunkach niskiego pokrycia adsorbatem. Celem badań była analiza kolejnych etapów samoorganizacji ad-atomów Ba począwszy od pojedynczego ad-atomu (monomeru), poprzez formowanie się par (dimerów), nieskończonego łańcucha, aż po fazę wbudowaną 2×3 i rekonstrukcje wyższych rzędów. Przeprowadzone badania bazujące na teorii funkcjonału gęstości pozwoliły na dokładną analizę własności strukturalno-elektronowych badanych układów oraz określenie charakteru ich oddziaływania z podłożem. Otrzymane wyniki umożliwiły strukturalną identyfikację charakterystycznych obiektów obserwowanych na obrazach STM jako pojedynczego ad-atomu Ba, dimera Ba i łańcucha zbudowanego z ad-dimerów. Ponadto został przeanalizowany model strukturalny jednowymiarowej fazy wbudowanej 2×3 powierzchni Ge(001) wywołanej adsorpcją Ba, oraz jej defektów, a także powierzchniowej fazy 2×3 i rekonstrukcji wyższych rzędów.

Drugi obszar badań prezentowanych w rozprawie dotyczy adsorpcji molekuł organicznych (benzen i dichlorobenzen) na powierzchni Ge(001). Celem badań była analiza różnych konfiguracji adsorpcyjnych tych molekuł na Ge(001) pod kątem parametrów strukturalnych, energetycznych i elektronowych. Przeprowadzona analiza umożliwiła znalezienie porządku energetycznego badanych struktur adsorpcyjnych. Wykazano, że najkorzystniejszą konfiguracją adsorpcyjną obu molekuł na Ge(001) jest struktura, w której cząsteczka adsorbuje się symetrycznie na pojedynczym dimerze powierzchniowym. Ponadto pokazano, że obecność podstawników zwiększa stabilność adsorbatu na Ge(001).

Obrona rozprawy doktorskiej mgr Agnieszki Puchalskiej odbędzie się w piątek 29 maja 2020 r. o godz. 12:15. Obrona przeprowadzona zostanie w trybie zdalnym w formie wideokonferencji z przekazem obrazu i dźwięku w czasie rzeczywistym, z wykorzystaniem aplikacji Microsoft Teams zapewniającej publiczny dostęp do wydarzenia bez wcześniejszej rejestracji i umożliwiającej uczestnikom spotkania bezpośrednią komunikację.

Odnośnik do wydarzenia: publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr Agnieszki Puchalskiej.

Do spotkania można dołączyć z poziomu przeglądarki internetowej (w zależności od używanego systemu operacyjnego, wymagana może być przeglądarka Chrome/Edge) lub aplikacji Microsoft Teams (dostępna wersja bezpłatna). Dostęp online do spotkania możliwy od godz. 12:00. Dla zapewnienia właściwego przebiegu obrony, spotkanie będzie moderowane. W celu ułatwienia moderacji, uczestnicy wydarzenia proszeni są o podanie swojego imienia i nazwiska podczas dołączania do spotkania. Przebieg zdalnej obrony będzie rejestrowany.