kontakt

Wydział Fizyki i Astronomii,
pl. Maxa Borna 9,
50-204 Wrocław,

Sekretariat Instytutu Fizyki Teoretycznej
tel.: 71 375 94 08
71 375 95 66, 71 375 92 86

Sekretariat Instytutu Fizyki Doświadczalnej
tel. 71 375 93 02

Sekretariat Instytutu Astronomii
tel.: 71 337 80 60, 71 372 93 73, 71 337 80 61

Dziekanat
tel.: 71 375 94 04

godziny otwarcia dziekanatu:
9:00-13:00
(w środy nieczynny)

Elementy fizyki półprzewodników

Kod przedmiotu: 13.2-4-EFP/II
Typ przedmiotu:
Wykład specjalistyczny, fakultatywny – dowolnego wyboru, polecany szczególnie dla specjalności: fizyka doświadczalna, fizyka nowych materiałów na kierunku fizyka oraz fizyka materiałów wielofunkcjonalnych na kierunku fizyka techniczna.
Rok i semestr: I lub II rok (0 semestr)
ECTS: 3 pkt
Metody dydaktyczne:
  • Wykład 2 godz tygodniowo przez 15 tygodni
Treści merytoryczne przedmiotu:
Najważniejsze struktury półprzewodnikowe. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane. Struktura elektronowa półprzewodników. Metoda kombinacji orbitali atomowych. Interpretacja pasm w półprzewodnikach na podstawie wiązania chemicznego. Pojęcie masy efektywnej. Ruch elektronów w półprzewodniku pod wpływem pola elektrycznego. Elektrony, dziury, ekscytony, triony. Kwantowanie przewodności w nanodrutach. Gęstość stanów elektronowych w układach jedno, dwu i trójwymiarowych. Zjawiska stykowe w półprzewodnikach. Zjawiska powierzchniowe w półprzewodnikach. Przykładowe zastosowania półprzewodników.
Założenia i cele przedmiotu:
Po zaliczeniu tego przedmiotu student będzie w stanie analizować podstawowe procesy zachodzace w półprzewodnikach. Treści wykładu stanowią podstawę do rozumienia procesów zachodzących w urządzeniach półprzewodnikowych.
Wykaz literatury podstawowej:
1. M. Grundman – The physics of semiconductors.

2. B.G. Yacobi -Semiconductor materials.

3. K.W. Szalimowa – Fizyka półprzewodników.

4. G.I. Jepifanow Fizyczne podstawy mikroelektroniki.

C. Juszczak © 2010-2013 - Wydział Fizyki i Astronomii, Uniwersytet Wrocławski